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一、 设备基本原理及主要用途
1. 设备用途
适用于电子陶瓷与高温结构陶瓷的烧结、玻璃的精密退火与微晶化、晶体的精密退火、陶瓷釉料制备、粉末冶金、纳米材料的烧结、金属零件淬火及一切需快速升温工艺要求的热处理,应用于电子元器件、新型材料及粉体材料的真空气氛处理,材料在惰性气氛环境下进行烧结。本设备具有安全可靠、操作简单、控温精度高、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高等特点。综合性能指标较高,处于国内*水平。根据不同的使用气氛及使用温度,使用不同的加热元件,型号齐全,对需在惰性气体环境下烧结的材料,本设备是一个非常好的选择,同时也可满足于不同工艺实验而特殊制造。
2. 设备简介
该真空电阻炉以优质硅钼棒为加热元件,采用双层壳体结构和厦门宇电30-50段程序控温系统,移相触发、可控硅控制,炉膛采用优质氧化铝材料,双层炉壳间配有风冷系统。炉体采用整体密封,盖板和炉门密封采用高温硅胶板、炉门口安装有真空系统、水冷系统等,气体经过流量计后进入炉体,可以通氩气、氮气等惰性气体,并能抽真空。
二、 主要技术参数
1. 加热功率: 5KW
2.加热形式: 优质HRE电阻丝,左右两面加热,温场均匀,能耗低
(升温速率建议:10℃/Min Max:20℃/Min)
3. 炉膛尺寸: 300mm*200mm*200mm(长方体)
4. 外形尺寸: 1800mm*1300mm*1600mm(高/宽/长)
5. 保温材料: 1800型高纯氧化铝微晶体纤维,保温性能好
6. 装料方式: 前侧装料
7. 气氛种类: 惰性气体(氮气,氩气)
8. 常规中空度: 6.7x10^(-2) Pa
9. 极限真空度: 6.7x10^(-3) Pa
10. 极限充气压力:≤0.05Mpa
11. 长期使用压力:≤0.04Mpa(微正压、表压)
12. 控制精度: ±1 ℃
13. 热电偶型号:N型
14. 温控控制: 30段程序控温系统,PID控制
15. 内外层炉壳: SECC钢板防锈处理,并经粉体烤漆处理
16. 设备表面温度:≤60℃
17. 数据导出系统:可通过USB将升降温工艺导出,曲线图显示
一、 结构组成
真空电阻炉主要由炉体、加热保温系统、真空系统、气氛控制系统、水冷系统、电器控制系统等组成。
三、 设备结构特征
1. 炉体
炉体采用双层壳体结构,炉内壳体采用整体密封,炉门密封采用高温硅胶板密封、炉口设有水冷系统以保护炉口密封圈,炉壳配有水冷系统,保证表面温度≤60 ℃。
2. 加热保温系统
加热元件采用优质硅钼棒,合理均匀的布置在物料两侧,炉膛采用优质1800型高纯氧化铝微晶体纤维,保温性能良好。测温元件选用B型热电偶,并配置厦门宇电30段温控仪表,当系统超温时,自动进行声光报警,以进行相应的动作。
3. 真空机组
真空机组采用扩散泵机组,KT-300扩散泵+2X旋片泵。
高真空扩散泵为一台KT-300扩散泵。抽气速率为4000L/S,功率为2.5KW
真空系统其它辅件有高真空挡板阀(主阀、粗抽阀、前级阀)、冷阱(防止返油)、不锈钢波纹管、放气电磁阀(防止返油)及真空管路等。本系统采用优质真空机组,具有抽气速度大且极限真空度高的优点。
4.水冷系统
由各种阀、测温装置、水流量计及管道相关装置组成,具有关键位置冷却水超温,
断水声、光报警并执行相应的保护动作,为设备正常稳定运行提供保障。
5.电气控制系统
控制系统主要包括:温度控制、气氛控制、真空控制等。温度控制为PID微电脑自动演算,PV/SV同时显示按键设定移相触发、可控硅控制,控制仪表采用厦门宇电30-50段程序控温仪表,控制精度高,控制系统采用IEC标准,精选电气元件及测量元件,操作简单、直观。控制系统主要包括:整体控制柜1套,内含:按纽、指示灯、报警器,空气开关、接触器、电缆桥架等。
四、 成套配置
1. 炉体: 1套
2. 加热及保温系统:
a) 优质硅钼棒 1套
b) 氧化铝多晶纤维 1套
3. 真空系统:
a) KT-300扩散泵: 1台
b) 2X机械泵: 1台
c) DN250超高真空气动挡板阀: 1只
d) 超高真空电磁阀: 2只
e) ZDF-5227复合真空计: 1套
f) 金属波纹管: 1套
g) 真空放气阀: 1只
h) 真空测量系统: 1套
i) 真空管路: 1套
4. 水冷系统:
a) 测温装置 1套
b) 水流量计 若干
5. 电气控制系统: